中證資訊 2019-02-21 21:28:18
從西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國(guó)產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國(guó)外壟斷。這標(biāo)志著今后國(guó)內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國(guó)產(chǎn)材料。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，也是發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。相關(guān)公司有天富能源、天通股份。（中證資訊）
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