鋮昌科技:砷化鎵半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)
每日經(jīng)濟(jì)新聞
2023-03-13 17:14:32
每經(jīng)AI快訊,有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問(wèn):衛(wèi)星通信要實(shí)現(xiàn)在低軌毫米波傳輸,必須使用相控陣技術(shù),TR 組件為相控陣天線(xiàn)的核心部件,毫米波單片集成電路主要采用化合物半導(dǎo)體工藝,砷化鎵(GaAs)、磷化銦 (InP)等,其在毫米波頻段具有良好的性能,是該頻段的主流集成電路工藝 請(qǐng)問(wèn)是否屬實(shí)?
鋮昌科技(001270.SZ)3月13日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,砷化鎵半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),故在星載、地面等領(lǐng)域T/R芯片中得到重要應(yīng)用。另外,公司推出的星載和地面用衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)相控陣T/R芯片全套解決方案中,研制的硅基毫米波模擬波束賦形芯片系列產(chǎn)品的性能優(yōu)異。
(記者 陳鵬程)
免責(zé)聲明:本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考,不構(gòu)成投資建議,使用前核實(shí)。據(jù)此操作,風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。