1月6日，受芯片產(chǎn)業(yè)多重利好催化，聚焦上游半導體設(shè)備領(lǐng)域的半導體設(shè)備ETF（159516）大漲超5%，資金持續(xù)搶籌，近20日凈流入超26億元，當前規(guī)模近100億元，居同類產(chǎn)品第一。

事件催化+存儲擴產(chǎn)并行，半導體設(shè)備投資確定性較強

事件方面，2025年12月30日晚間，CXKJ披露招股書，籌劃募資295億元，加上自有資金共計345億元人民幣，擬投資于存儲晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級項目、DRAM存儲器技術(shù)升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項目。

價格方面，受益于AI需求爆發(fā)，存儲相關(guān)產(chǎn)品漲價幅度較大。據(jù)第三方數(shù)據(jù)，DRAM（內(nèi)存）與NAND Flash（閃存）現(xiàn)貨價格自9月起累計漲幅均超過300%，2025年四季度合約價同比上漲75%，DDR5顆粒單月漲幅甚至突破90%。此外，據(jù)1月最新消息，Trendforce近期對一季度存儲合約價進行全面上修，預估2026Q1 DRAM、NAND合約價分別上漲55%~60%、33%~38%。

因目前產(chǎn)能緊缺問題仍未緩解，且需求端AI出貨還在加速，2026Q1存儲漲價仍可能超出預期，存儲產(chǎn)能緊缺或成為貫穿2026年的投資主線之一。

擴產(chǎn)方面，國產(chǎn)半導體設(shè)備迎來歷史性發(fā)展機遇，根據(jù)東吳證券，2026年有望開啟確定性強的擴產(chǎn)周期，設(shè)備全行業(yè)訂單增速或超過30%，有望達到50%+。

全球AI驅(qū)動，把握半導體設(shè)備ETF（159516）景氣機遇

“存儲擴產(chǎn)+先進制程擴產(chǎn)”雙重推動，半導體設(shè)備ETF（159516）具備“催化明確+估值較低”兩大優(yōu)勢。這一輪存儲甚至半導體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復蘇或國產(chǎn)替代，而是實打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動的高景氣。無論是AI算力所需的先進制程擴產(chǎn)，還是AI存力推動的存儲擴產(chǎn)，半導體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

當前春季躁動之時，近日半導體設(shè)備公司或開始向市場傳遞新一年的訂單指引，加上兩存上市推進、存儲漲價、AI高增等催化重重共振，半導體設(shè)備ETF（159516）具備較高性價比，建議持續(xù)關(guān)注。

半導體設(shè)備ETF（159516）跟蹤中證半導體材料設(shè)備主題指數(shù)，能較好代表設(shè)備材料環(huán)節(jié)基本面進展，感興趣的投資者可以關(guān)注相關(guān)半導體設(shè)備ETF（159516）布局機會。

風險提示：數(shù)據(jù)來源中證指數(shù)公司，截至2025年1月5日。指數(shù)成分股僅供參考，不代表投資建議。

半導體設(shè)備ETF規(guī)模為97.90億，在同類6只產(chǎn)品中排名第一。

風險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。