截至2026年1月19日 10:20，上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)（950125）下跌0.80%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，和林微納領漲5.26%，中船特氣上漲4.69%，華海誠科上漲3.24%；晶升股份領跌6.16%，安集科技下跌3.70%，有研硅下跌3.25%?？苿?chuàng)半導體ETF（588170）下跌1.82%，最新報價1.88元。流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF盤中換手15.08%，成交9.43億元，市場交投活躍。

截至2026年1月19日 10:21，中證半導體材料設備主題指數(shù)（931743）下跌0.64%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，康強電子領漲7.37%，中船特氣上漲4.71%，華海誠科上漲3.14%；晶升股份領跌5.95%，安集科技下跌3.61%，天岳先進下跌3.32%。半導體設備ETF華夏（562590）下跌0.77%，最新報價2.05元。流動性方面，半導體設備ETF華夏盤中換手7.22%，成交2.06億元。

消息面上，據韓國經濟日報等外媒報道，SK海力士正與閃迪合作，致力于HBF標準的制定。該公司計劃最早于今年推出HBF1（第一代產品）樣品，該產品預計采用16層NAND閃存堆疊而成。據“HBM之父”韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩透露：“三星電子和閃迪計劃最快在2027年底或2028年初將HBF技術應用于英偉達、AMD和谷歌的實際產品中。”他進一步指出，待迭代至HBM6，HBF將迎來廣泛應用，屆時單個基礎裸片將集成多組存儲堆棧。他預測，2至3年內，HBF方案將頻繁涌現(xiàn)，到2038年左右，HBF市場將超過HBM市場。

華福證券認為，存儲板塊業(yè)績釋放分為三個階段，模組廠漲價直接受益>擴產拉動設備廠訂單>稼動率提升和擴產提升材料用量。在國內存儲大廠融資擴產的背景下，我們看好存儲材料和設備板塊后續(xù)的業(yè)績表現(xiàn)。

相關ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導體設備（60%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業(yè)是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導體設備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。