5月17日，長(zhǎng)鑫科技科創(chuàng)板IPO更新財(cái)報(bào)并恢復(fù)審核，26Q1營(yíng)收508億元（同比+719%）、歸母凈利潤(rùn)247.62億元（同比+1688%），業(yè)績(jī)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。公司擬募資295億元用于產(chǎn)線升級(jí)、DRAM技術(shù)攻堅(jiān)及HBM前瞻研發(fā)，全球市占率已提升至7.67%，但距國(guó)內(nèi)自給目標(biāo)仍有近4倍擴(kuò)產(chǎn)空間。AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)超級(jí)周期疊加國(guó)產(chǎn)替代加速，上游半導(dǎo)體設(shè)備及零部件迎來“訂單+業(yè)績(jī)”雙爆發(fā)。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）盤中翻紅超2%，近5日凈流入超4億元，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測(cè)試等核心環(huán)節(jié)，是布局本輪擴(kuò)產(chǎn)浪潮的高效工具。

【長(zhǎng)鑫業(yè)績(jī)暴增驗(yàn)證存儲(chǔ)周期，國(guó)產(chǎn)DRAM擴(kuò)產(chǎn)全面提速】

長(zhǎng)鑫科技最新招股書顯示，26Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入508億元，同比增長(zhǎng)719.13%；歸母凈利潤(rùn)247.62億元，同比增長(zhǎng)1688.30%。公司預(yù)計(jì)26H1營(yíng)收1100-1200億元，同比增長(zhǎng)超600%；歸母凈利潤(rùn)500-570億元，同比增長(zhǎng)超2200%。業(yè)績(jī)高增源于DRAM價(jià)格中樞顯著抬升，疊加公司制程升級(jí)、良率改善及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化后盈利能力進(jìn)入快速釋放階段。

AI驅(qū)動(dòng)全球DRAM市場(chǎng)進(jìn)入萬億美元量級(jí)。 愛建證券研報(bào)指出，根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2025年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模約1505億美元，受AI訓(xùn)練、推理及HBM需求爆發(fā)驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)2030年將增長(zhǎng)至5710億美元，CAGR達(dá)30.56%。2026Q2傳統(tǒng)DRAM合約價(jià)預(yù)計(jì)再漲58-63%，NAND漲70-75%。存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，正驅(qū)動(dòng)全球存儲(chǔ)原廠開啟新一輪大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。

長(zhǎng)鑫擴(kuò)產(chǎn)空間巨大，資本開支維持高位。 當(dāng)前國(guó)產(chǎn)DRAM全球市占率不足8%，遠(yuǎn)低于中國(guó)大陸30-35%的需求占比。愛建證券測(cè)算，若實(shí)現(xiàn)自給，國(guó)產(chǎn)DRAM仍有近4倍擴(kuò)產(chǎn)空間。長(zhǎng)鑫已在合肥、北京擁有3座12英寸晶圓廠，2025年底月產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)30萬片（同比+50%）。公司擬募資295億元，其中75億元用于產(chǎn)線升級(jí)改造，130億元投入DRAM技術(shù)升級(jí)（DDR5/LPDDR5規(guī)?；慨a(chǎn)），90億元布局HBM、存算一體等前瞻技術(shù)。中信建投指出，長(zhǎng)鑫上市推進(jìn)將點(diǎn)燃設(shè)備板塊熱情，存儲(chǔ)批量擴(kuò)產(chǎn)已開啟，國(guó)內(nèi)兩大存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)全面啟動(dòng)。

全球存儲(chǔ)資本開支同步上修，設(shè)備需求能見度提升。 美光、SK海力士、三星均大幅提升資本開支，且與云廠商簽訂3-5年長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議（LTA）。這一模式將需求能見度從季度拉長(zhǎng)至數(shù)年，設(shè)備訂單的持續(xù)性顯著增強(qiáng)。

【設(shè)備端景氣傳導(dǎo)，前道訂單飽滿、后道彈性突出】

西部證券最新業(yè)績(jī)復(fù)盤顯示，前道設(shè)備2025年合計(jì)收入861.77億元（同比+30.39%），2026Q1收入204.06億元（同比+23.12%），增速雖略有回落但仍處高景氣區(qū)間。利潤(rùn)端更為亮眼——2025年前道設(shè)備歸母凈利潤(rùn)同比僅+10.57%，但2026Q1同比大增42.49%，盈利彈性明顯修復(fù)。后道設(shè)備彈性更突出，2026Q1收入同比+59.54%，歸母凈利潤(rùn)同比+151.27%，封測(cè)設(shè)備需求加速回暖。

前道設(shè)備：存貨高位、合同負(fù)債穩(wěn)定，訂單支撐強(qiáng)勁。 截至2026Q1末，前道設(shè)備合計(jì)存貨701.4億元（持續(xù)提升），合同負(fù)債203.84億元（保持平穩(wěn)），反映在手訂單及備貨需求仍處較高水平。研發(fā)投入維持高位（2025年合計(jì)166.55億元，同比+32.52%），但期間費(fèi)用率持續(xù)下降，規(guī)模效應(yīng)開始顯現(xiàn)。中信建投強(qiáng)調(diào)，國(guó)內(nèi)先進(jìn)邏輯玩家增多、通線良率提升節(jié)奏良好，下半年擴(kuò)產(chǎn)存在超預(yù)期可能；自主可控趨勢(shì)下國(guó)產(chǎn)化率將進(jìn)入快速提升階段。

后道設(shè)備：封測(cè)廠資本開支回升，先進(jìn)封裝成長(zhǎng)期增量。 西部證券跟蹤顯示，2025年華天科技、長(zhǎng)電科技、通富微電資本開支均超60億元，2026Q1分別同比增長(zhǎng)73.9%、63.4%、101.7%。日月光控股2025年資本開支367億元（同比+107%），全球封測(cè)龍頭同步擴(kuò)產(chǎn)。湘財(cái)證券指出，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)趨勢(shì)持續(xù)（DDR3年初至今漲123%，NAND漲140%），將驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體企業(yè)加速擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備訂單有望迎來拐點(diǎn)。

先進(jìn)封裝設(shè)備價(jià)值量躍升。 據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2024年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模約460億美元，預(yù)計(jì)2030年超794億美元，2.5D/3D互連類CAGR約37%。TSV刻蝕、薄膜沉積、混合鍵合、減薄等設(shè)備需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)設(shè)備企業(yè)已在多個(gè)環(huán)節(jié)取得突破。

【半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）——一鍵布局?jǐn)U產(chǎn)周期核心環(huán)節(jié)】

在長(zhǎng)鑫IPO催化、全球存儲(chǔ)大擴(kuò)產(chǎn)、先進(jìn)封裝升級(jí)的三重共振下，半導(dǎo)體設(shè)備板塊正迎來訂單與業(yè)績(jī)的戴維斯雙擊。無論是前道刻蝕、薄膜沉積，還是后道測(cè)試、先進(jìn)封裝，各環(huán)節(jié)均處于高景氣通道。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）跟蹤中證半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)，成分股覆蓋核心設(shè)備公司，全面覆蓋從晶圓制造到先進(jìn)封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。相較于個(gè)股投資，ETF可有效分散單一技術(shù)路線和客戶驗(yàn)證風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)把握行業(yè)整體β收益。

在存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)剛剛進(jìn)入加速期、國(guó)產(chǎn)替代空間仍有數(shù)倍之遙的當(dāng)下，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）是投資者布局本輪超級(jí)周期的優(yōu)選工具。

風(fēng)險(xiǎn)提示：提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的承諾或保證。觀點(diǎn)可能隨市場(chǎng)環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同，敬請(qǐng)投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。