每經(jīng)編輯｜黃勝    

繼今年4月在《自然》提出“破曉”二維閃存原型器件后，復旦大學科研團隊又迎來新突破。

據(jù)復旦大學公眾號消息，北京時間10月8日晚，復旦大學在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相關成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構芯片，攻克新型二維信息器件工程化關鍵難題。

圖片來源：復旦大學公眾號截圖

面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，具有原子級厚度的二維半導體是目前國際公認的破局關鍵，科學家們一直在探索如何將二維半導體材料應用于集成電路中。當前，國際上對二維半導體的研究仍在起步階段，尚未實現(xiàn)大規(guī)模應用。

大數(shù)據(jù)與人工智能時代對數(shù)據(jù)存取性能提出了極致要求，而傳統(tǒng)存儲器的速度與功耗已成為阻礙算力發(fā)展的“卡脖子”問題之一。今年4月，周鵬-劉春森團隊于《自然》（Nature）期刊提出“破曉”二維閃存原型器件，實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導體電荷存儲技術，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。

“從目前技術來看，存儲器是二維電子器件最有可能首個產(chǎn)業(yè)化的器件類型。因為它對材料質(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求，而且能夠達到的性能指標遠超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術，可能會產(chǎn)生一些顛覆性的應用場景?！痹诖鎯ζ黝I域深耕多年的周鵬認為。

每日經(jīng)濟新聞綜合復旦大學公眾號

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