2026年2月3日，截至收盤，滬指漲1.29%，報(bào)收4067.74點(diǎn)；深成指漲2.19%，報(bào)收14127.11點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指漲1.86%，報(bào)收3324.89點(diǎn)。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）漲3.40%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）漲3.38%。

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌0.34%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)跌1.43%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)跌0.84%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)跌2.07%，恩智浦半導(dǎo)體跌4.51%，美光科技跌4.19%，ARM跌2.23%，應(yīng)用材料跌2.96%，微芯科技跌1.82%。

行業(yè)資訊：

1.AMD第四季度營(yíng)收102.7億美元，同比增長(zhǎng)34%，預(yù)估96.5億美元，其中數(shù)據(jù)中心營(yíng)收53.8億美元，同比增長(zhǎng)39%，預(yù)估49.7億美元；第四季度凈利潤(rùn)25.2億美元，同比增長(zhǎng)42%；調(diào)整后每股收益1.53美元，上年同期1.09美元，預(yù)估1.32美元。AMD預(yù)計(jì)第一季度營(yíng)收95億美元至101億美元，超過市場(chǎng)預(yù)估的93.9億美元。

2.由于存儲(chǔ)芯片漲價(jià)缺貨，DRAM大廠南亞科2026年1月營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣153.09億元，環(huán)比增長(zhǎng)27.39%，較2025年同期大增608.02%，續(xù)創(chuàng)單月營(yíng)收新高。

3.瑞銀分析師團(tuán)隊(duì)表示，短期可聚焦于兩大堪稱壟斷的HDD霸主——即希捷與西部數(shù)據(jù)公司，可把它們共同當(dāng)作“存儲(chǔ)景氣度周期類型短期交易主題”，中長(zhǎng)期把超額收益押在Memory(HBM、高端DDR、以及數(shù)據(jù)中心企業(yè)級(jí)SSD背后的NAND/控制器生態(tài))的供需缺口與定價(jià)權(quán)上——這與當(dāng)前AI數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張正在把HBM與傳統(tǒng)DRAM/NAND推向更強(qiáng)烈的供需失衡相一致，也就是說三大存儲(chǔ)芯片原廠主導(dǎo)的定價(jià)與供給紀(jì)律只會(huì)導(dǎo)致供需愈發(fā)失衡，且2028年才有可能出現(xiàn)有意義的供給緩解。

4.英特爾首席執(zhí)行官表示，內(nèi)存制造商稱供應(yīng)緊張局面要到2028年才會(huì)緩解。

中信建投指出，AI驅(qū)動(dòng)的邏輯、存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)需求持續(xù)向上。從國(guó)內(nèi)fab擴(kuò)產(chǎn)角度來看，先進(jìn)邏輯缺口較大，自主可控背景下，看好后續(xù)先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn)加速；存儲(chǔ)大周期向上，兩存大幅擴(kuò)產(chǎn)確定性強(qiáng)，彈性值得期待。同時(shí)看好國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝后續(xù)放量。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。