每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-02-11 11:10:22
截至2026年2月11日 11點(diǎn),上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)(950125)下跌0.68%。成分股方面漲跌互現(xiàn),有研硅領(lǐng)漲2.70%,耐科裝備上漲2.02%,華峰測(cè)控上漲1.54%;芯源微領(lǐng)跌3.22%,歐萊新材下跌2.76%,神工股份下跌2.61%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)下跌0.79%,最新報(bào)價(jià)1.76元。
截至2026年2月11日 11點(diǎn)03分,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)(931743)下跌0.83%。成分股方面漲跌互現(xiàn),廣立微領(lǐng)漲6.97%,有研硅上漲3.22%,有研新材上漲1.60%;珂瑪科技領(lǐng)跌6.09%,芯源微下跌3.34%,金海通下跌2.65%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)下跌0.78%,最新報(bào)價(jià)1.9元。
流動(dòng)性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤(pán)中換手3.24%,成交2.64億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤(pán)中換手2.23%,成交6109.07萬(wàn)元。規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周規(guī)模增長(zhǎng)2.15億元,實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng),新增規(guī)模領(lǐng)先同類(lèi);半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.60億元。
資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入1.17億元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,近5個(gè)交易日內(nèi),合計(jì)“吸金”5066.84萬(wàn)元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流入383.42萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,近22個(gè)交易日內(nèi)有16日資金凈流入,合計(jì)“吸金”12.73億元,日均凈流入達(dá)5785.63萬(wàn)元。
消息面上,中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績(jī)會(huì)上表示,2025年,原來(lái)在國(guó)外設(shè)計(jì)、國(guó)外生產(chǎn)銷(xiāo)售到國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)地產(chǎn)業(yè)鏈,向本土化切換帶來(lái)的重組效應(yīng)貫穿全年,轉(zhuǎn)換速度最快的是模擬類(lèi)電路,其次是顯示驅(qū)動(dòng)、攝像頭、存儲(chǔ)、MCU、數(shù)模混合、邏輯等。中國(guó)本土的芯片設(shè)計(jì)公司抓住機(jī)會(huì),取得了供應(yīng)鏈的份額,而中芯國(guó)際瞄準(zhǔn)客戶(hù)細(xì)分市場(chǎng)產(chǎn)品需求,加速驗(yàn)證并擴(kuò)產(chǎn)上量。
財(cái)通證券認(rèn)為,與臺(tái)積電、三星等企業(yè)相比,中芯國(guó)際等企業(yè),先進(jìn)制程產(chǎn)能的全球市場(chǎng)份額極低;為保持競(jìng)爭(zhēng)力、避免進(jìn)一步落后,國(guó)內(nèi)企業(yè)有必要在滿(mǎn)足自主可控要求的基礎(chǔ)上,加快推進(jìn)技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)張。
相關(guān)ETF:公開(kāi)信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類(lèi):024417;C類(lèi):024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。
半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類(lèi):020356;C類(lèi):020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(63%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。
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